周波数マルチプライヤ
出力周波数が18~110GHzの広帯域周波数逓倍器の製品群を用意しました。 浮かされたサブストレート基板回路にGaAsダイオードを使用することで、非常にコンパクトなデバイスを実現しました。 回路対称性を用いることで不要な奇数次・偶数次高調波を抑制しつつ、希望する偶数次・奇数次高調波を強めています。 これらのデバイスは効率を低下させることなく、より高次の偶数次または奇数次高調波乗算器として使用することができます。 これらの周波数逓倍器は、いずれも+50℃以下の温度で最大入力電力+23dBmを実現しています。
仕様
* K male connector available on request
** Input and output waveguides can be on either the same side or on opposite sides of the wafer. Please specify. Example W3WS for same side, W3WO for opposite side.

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