概要

低ノイズpHEMTデバイス〔Low Noise pHEMT Devices〕

GaAs FET / pHEMTのRF特性（25°Cでの標準的な性能）

• ウルトラリニア、ハイダイナミックレンジ、低位相ノイズ
  Ultra Linear, High Dynamic Range, Low Phase Noise
• GaAsプロセスは、実証済みの信頼性を備えた宇宙用途に承認されています
  GaAs Process is Approved for Space Applications with Proven Reliability
• コマーシャル、インダストリアル、ミリタリー、スペースグレード
  Commercial, Industrial, Military, and Space Grade
• MIL-PRF-38534に基づく評価での100％ウェーハボンドプル、ダイシア、ウェーハDCバーンイン、およびベークテスト
  100% Wafer Bond Pull, Die Shear, Wafer DC Burn In, and Bake Tests in Evaluation per MIL-PRF-38534
• 出荷用にデータが記録された100％ダイプローブテスト
  100% Die Probe Test with Data Recorded for Shipment
• 出荷前に100％視覚的パフォーマンス（レベル1、3、または4）
  100% Visual Performed (Level 1, 3, or 4) before Shipment
• 100％Idss一致でパフォーマンスの一貫性を提供
  100% Idss Match to Provide Performance Consistency
• ご要望に応じてRFサンプルテスト機能をご用意
  RF Sample Test Capability Available Upon Request
• 標準およびカスタムデバイス仕様
  Standard and Custom Device Specifications
• 利用可能なハイレルおよびスペースレルスクリーニングオプション
  High-Rel and Space-Rel Screening Options Available
• RoHS（鉛フリー）対応品あり
  RoHS (lead-free) Compliant Product Available

仕様

Model	Data sheet	Gate Width / Length [um]	N.F. @12Ghz Typ [dB]	N.F. @4GHz Typ [dB]	Ga @ N.F @12GHz Typ/Min [dB]	Ga @ N.F @4GHz Typ/Min [dB]	P-1dB @12GHz Typ [dBm]
MwT-LN180		180/015	0.5	0.2	10 / --	14.5	16
MwT-LN240		240/.15	0.5	0.2	10 / --	13	16
MwT-LN300		300/.15	0.6	0.2	10 / --	13	16
MwT-LN600		600/.15	0.5	0.2	9 / 8	12	20