低ノイズpHEMTデバイス〔Low Noise pHEMT Devices〕 

メーカー名:MicroWave Technology, Inc.
低ノイズpHEMTデバイス〔Low Noise pHEMT Devices〕

GaAs FET / pHEMTのRF特性(25°Cでの標準的な性能)
  • ウルトラリニア、ハイダイナミックレンジ、低位相ノイズ
    Ultra Linear, High Dynamic Range, Low Phase Noise
  • GaAsプロセスは、実証済みの信頼性を備えた宇宙用途に承認されています
    GaAs Process is Approved for Space Applications with Proven Reliability
  • コマーシャル、インダストリアル、ミリタリー、スペースグレード
    Commercial, Industrial, Military, and Space Grade
  • MIL-PRF-38534に基づく評価での100%ウェーハボンドプル、ダイシア、ウェーハDCバーンイン、およびベークテスト
    100% Wafer Bond Pull, Die Shear, Wafer DC Burn In, and Bake Tests in Evaluation per MIL-PRF-38534
  • 出荷用にデータが記録された100%ダイプローブテスト
    100% Die Probe Test with Data Recorded for Shipment
  • 出荷前に100%視覚的パフォーマンス(レベル1、3、または4)
    100% Visual Performed (Level 1, 3, or 4) before Shipment
  • 100%Idss一致でパフォーマンスの一貫性を提供
    100% Idss Match to Provide Performance Consistency
  • ご要望に応じてRFサンプルテスト機能をご用意
    RF Sample Test Capability Available Upon Request
  • 標準およびカスタムデバイス仕様
    Standard and Custom Device Specifications
  • 利用可能なハイレルおよびスペースレルスクリーニングオプション
    High-Rel and Space-Rel Screening Options Available
  • RoHS(鉛フリー)対応品あり
    RoHS (lead-free) Compliant Product Available

製品仕様 

Product Specifications

ModelData sheetGate Width / Length [um]N.F. @12Ghz Typ [dB]N.F. @4GHz Typ [dB]Ga @ N.F @12GHz Typ/Min [dB]Ga @ N.F @4GHz Typ/Min [dB]P-1dB @12GHz Typ [dBm]
MwT-LN180Datasheet180/0150.50.210 / --14.516
MwT-LN240Datasheet240/.150.50.210 / --1316
MwT-LN300Datasheet300/.150.60.210 / --1316
MwT-LN600Datasheet600/.150.50.29 / 81220

備考 

Remarks

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