ハイパワー、リニアリティの高いアプリケーション 

メーカー名:MicroWave Technology, Inc.
ハイパワー、リニアリティの高いアプリケーション〔High-Power, High-Linearity Applications〕

GaAs FET / pHEMTのRF特性(25°Cでの標準的な性能)
  • ウルトラリニア、ハイダイナミックレンジ、低位相ノイズ
    Ultra Linear, High Dynamic Range, Low Phase Noise
  • GaAsプロセスは、実証済みの信頼性を備えた宇宙用途に承認されています
    GaAs Process is Approved for Space Applications with Proven Reliability
  • コマーシャル、インダストリアル、ミリタリー、スペースグレード
    Commercial, Industrial, Military, and Space Grade
  • MIL-PRF-38534に基づく評価での100%ウェーハボンドプル、ダイシア、ウェーハDCバーンイン、およびベークテスト
    100% Wafer Bond Pull, Die Shear, Wafer DC Burn In, and Bake Tests in Evaluation per MIL-PRF-38534
  • 出荷用にデータが記録された100%ダイプローブテスト
    100% Die Probe Test with Data Recorded for Shipment
  • 出荷前に100%視覚的パフォーマンス(レベル1、3、または4)
    100% Visual Performed (Level 1, 3, or 4) before Shipment
  • 100%Idss一致でパフォーマンスの一貫性を提供
    100% Idss Match to Provide Performance Consistency
  • ご要望に応じてRFサンプルテスト機能をご用意
    RF Sample Test Capability Available Upon Request
  • 標準およびカスタムデバイス仕様
    Standard and Custom Device Specifications
  • 利用可能なハイレルおよびスペースレルスクリーニングオプション
    High-Rel and Space-Rel Screening Options Available
  • RoHS(鉛フリー)対応品あり
    RoHS (lead-free) Compliant Product Available

製品仕様 

Product Specifications

ModelData sheetPackage Available Sealed / HermeticGate Width / Length [um]Gate Layout MethodGate Drain Source Bond Pads QtyChip Thick-ness & VIA Hole mil, [y/n]S.S. Gain @12GHz Typ/Min [dB]P-1dB @12GHz Typ/Min [dBm]
MwT-11
*1
Datasheet712400/0.3Interdigit2, 2, 34, no9.0 / 7.030.0/28.0
MwT-11FDatasheet712400/0.3Interdigit2, 2, 34, no9.0 / 7.030.0/28.0
MwT-17Q3DatasheetQFN2400/0.8Interdigit4, 4, 54, no18.0/16.0
(1)
28.0/27.0

備考 

Remarks

*1) MwT-11F will soon replace MwT-11.

(1) @ 2.0GHz,
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