概要

狭帯域電力アプリケーション〔Narrow-Band Power Applications〕

GaAs FET / pHEMTのRF特性（25°Cでの標準的な性能）

• ウルトラリニア、ハイダイナミックレンジ、低位相ノイズ
  Ultra Linear, High Dynamic Range, Low Phase Noise
• GaAsプロセスは、実証済みの信頼性を備えた宇宙用途に承認されています
  GaAs Process is Approved for Space Applications with Proven Reliability
• コマーシャル、インダストリアル、ミリタリー、スペースグレード
  Commercial, Industrial, Military, and Space Grade
• MIL-PRF-38534に基づく評価での100％ウェーハボンドプル、ダイシア、ウェーハDCバーンイン、およびベークテスト
  100% Wafer Bond Pull, Die Shear, Wafer DC Burn In, and Bake Tests in Evaluation per MIL-PRF-38534
• 出荷用にデータが記録された100％ダイプローブテスト
  100% Die Probe Test with Data Recorded for Shipment
• 出荷前に100％視覚的パフォーマンス（レベル1、3、または4）
  100% Visual Performed (Level 1, 3, or 4) before Shipment
• 100％Idss一致でパフォーマンスの一貫性を提供
  100% Idss Match to Provide Performance Consistency
• ご要望に応じてRFサンプルテスト機能をご用意
  RF Sample Test Capability Available Upon Request
• 標準およびカスタムデバイス仕様
  Standard and Custom Device Specifications
• 利用可能なハイレルおよびスペースレルスクリーニングオプション
  High-Rel and Space-Rel Screening Options Available
• RoHS（鉛フリー）対応品あり
  RoHS (lead-free) Compliant Product Available

仕様

Model	Data sheet	Package Available Sealed / Hermetic	Gate Width / Length [um]	Gate Layout Method	Gate Drain Source Bond Pads Qty	Chip Thick-ness & VIA Hole mil, y/n	S.S. Gain @12GHz Typ/Min [dB]	P-1dB @12GHz Typ [dBm]
MwT-2		70, 73 / 71	630/0.3	single stripe	2, 2, 3	5, no	8.5 / 8.0	24.5 / 23.0
MwT-3 *1		70, 73 / 71	300/0.3	single stripe	1, 1, 2	5, no	11.0 / 10.0	21.0 / 20.0
MwT-3F		70, 73 / 71	300/0.3	single stripe	1, 1, 2	5, no	11.0 / 10.0	21.0 / 20.0
MwT-8		71	2400/0.3	Interdigit	2, 2, 3	4, no	7.5 / 7.0	28.0 / 27.0
MwT-17 Nonlinear Model		89 / 71	2400/0.8	Interdigit	4, 4, 5	5, no	7.0 / 6.0	29.5 / 28.5

備考

*1) MwT-3F will soon replace MwT-3.