広帯域・低雑音指数pHEMT

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概要
広帯域、低雑音指数〔Broad-Band, Low Noise Figure〕
GaAs FET / pHEMTのRF特性(25°Cでの標準的な性能)
- ウルトラリニア、ハイダイナミックレンジ、低位相ノイズ
Ultra Linear, High Dynamic Range, Low Phase Noise - GaAsプロセスは、実証済みの信頼性を備えた宇宙用途に承認されています
GaAs Process is Approved for Space Applications with Proven Reliability - コマーシャル、インダストリアル、ミリタリー、スペースグレード
Commercial, Industrial, Military, and Space Grade - MIL-PRF-38534に基づく評価での100%ウェーハボンドプル、ダイシア、ウェーハDCバーンイン、およびベークテスト
100% Wafer Bond Pull, Die Shear, Wafer DC Burn In, and Bake Tests in Evaluation per MIL-PRF-38534 - 出荷用にデータが記録された100%ダイプローブテスト
100% Die Probe Test with Data Recorded for Shipment - 出荷前に100%視覚的パフォーマンス(レベル1、3、または4)
100% Visual Performed (Level 1, 3, or 4) before Shipment - 100%Idss一致でパフォーマンスの一貫性を提供
100% Idss Match to Provide Performance Consistency - ご要望に応じてRFサンプルテスト機能をご用意
RF Sample Test Capability Available Upon Request - 標準およびカスタムデバイス仕様
Standard and Custom Device Specifications - 利用可能なハイレルおよびスペースレルスクリーニングオプション
High-Rel and Space-Rel Screening Options Available - RoHS(鉛フリー)対応品あり
RoHS (lead-free) Compliant Product Available
仕様
備考
*1) MwT-7F will soon replace MwT-7 and MwT-LP7.
*2) MwT-9F will soon replace MwT-9 and MwT-A9.
SB = Self-Biased
(1) @ 2.0GHz