MicroWave Technology（マイクロウェーブ テクノロジー 以下：Mwt）社は、ガリウム砒素（GaAs）デバイス設計及び実装の広い経験を技術的基盤として1982年に米国カリフォルニア州のシリコンバレーに設立されました。

Mwt社の概要

現在、MwTは米国に拠点を置く離散ガリウム砒素電界効果トランジスタの先端製造メーカーに成長しています（FETs）。
これらのデバイスには、独自開発の気相エピタキシャル工程と1/4ミクロン埋め込みゲート技術が採用され、この独自技術によって10ミリワットから5ワットの範囲のパワー出力があるリニアー性が高い低フェーズノイズデバイスが実現されています。

主な取扱製品

• ▼ GaAsFET’s/PHEMT’s
• ▼ ワイヤレスアンプ
• ▼ ハイブリッドモジュール
• ▼ 標準アンプ
• ▼ MMIC

GaAsFET’s/PHEMT’s

このデバイスは、チップとしてまたはパッケージに入れられて販売され、無線通信システムの情報送受信において100MHzから40GHzの信号増幅に幅広く使用されています。
最近では、広帯域アクセスマーケットを対象として極めて高い周波数に対応した製品を市場に投入していますが、そのなかには高効率超リニアーパワーPHEMTS（バランスモジュール内のDCパワー2ワット用+38dBmIP3）や超低フェーズノイズGaAsFETs（17.5GHz+15dBmDRO内の-118dBc@100KHzオフセット）が含まれています。
薄膜ハイブリッドマイクロ回路構造を採用して、MwTは26GHzまでの各種標準モジュール増幅器製品を製造販売しています。
MwT社のGaAsFETsの低相互変調特性を生かすことにより、マルチキャリア及び／またはデジタル変調（高い線形性）無線通信システムを対象とした小型内部整合モジュール表面実装送受信増幅器モジュールの製品ラインを揃えた同社の評判は益々高くなっています。
基本的な用途は、受信機フロントエンドと携帯電話のドライバーまたはピコセル出力増幅器として、また0.9、1.9、2.5及び3.5GHzでのPCSやWLL基地局送信用として使用されています。
魅力がある点は、新製品には極めて低い入力及び出力の戻り損失があり、これによって高限界高線形性パワー増幅器カスケードに簡単にゲインを挿入できるようになります。
各種スクリーニングレベルで使用可能なMESFET、PHEMTチップやパッケージ電界効果トランジスタの全範囲、Idssレンジまたウェハーの選定。

ワイヤレスアンプ

• 小型、低価格、SMT、Flange、リードレスパッケージ
• 高信頼性、ハーメチックSMT（オプション）
• 低ノイズ、高リニアリティ、広帯域
• 低VSWR、低電流設計

ハイブリッドモジュール

さらに複雑なカスケードアセンブリに組み込める広帯域及び狭帯域ゲインステージ、VCM及びTCM。
全ての一般的な周波数に対応し、客先ごとの設計が可能です。

標準アンプ

• 狭帯域GaAsFETおよびPHEMTアンプ
• *低ノイズPHEMT(オプション)
• *MediumPowerGaAsFETandPHEMT
• PowerLevel2ワット

MMIC

MMICとは、ガリウム・ヒ素やシリコンなどの半導体基盤にトランジスタなどの能動素子と受動素子（抵抗、キャパシタ、インダクタ）およびFET、マイクロ波整合回路線路、バイアス線路、エアブリッジ、バイアホールによって構成されているマイクロ波及びミリ波などの高周波集積回路です。
MwT社のMMICアンプは、InGap HBT、pHEMT、リニアMESFET技術による高性能、高品質。
WiMaxパワーアンプに適した高リニアリティ。