製品情報

ガリウム・ヒ素FETデバイス（GaAsFET）

ガリウム・ヒ素FETデバイスは、高速動作の特長を活用してマイクロ波通信の送信部および受信部に活用されています。
主なアプリケーションは無線基地局、VSAT、トランスポンダ。

エクセリクス社では、広帯域、超ローノイズ、低ひずみ、ハイパワーのデバイスを提供しています。

主な製品

弊社で取り扱っている製品の一部です。掲載以外の製品も取り扱っておりますのでお気軽にお問合せ下さい。

ガリウム・ヒ素FETデバイス（GaAsFET）製品情報：エクセリクス・セミコンダクター社
エクセリクス・セミコンダクター社
Excelics Semiconductor, Inc
品名：EPB018A5-70
雑音指数(Noise Figure)：0.5dB (@ 12GHz)
P-1dB：15dBm(@ 12GHz)
Gain：13dBm(@ 12GHz)

EPB018A5-70写真
品名：EFA240D-SOT89
雑音指数(Noise Figure)：0.7dB(@ 2GHz)
P-1dB：31dBm(@ 2GHz)
IP3：48dBm(@ 2GHz)

EPA240D-SOT89写真
品名：EPA480C-SOT89
雑音指数(Noise Figure)：0.8dB(@ 2GHz)
P-1dB：34dBm(@ 2GHz)
IP3：48dBm(@ 2GHz)

EPA240D-SOT89写真

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